リンゼス(上海)計器設備有限公司
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TFA−薄膜の特性評価熱伝導率、抵抗率、電気伝導率、Seebeck効果、薄膜のHall効果と放射
物理特性薄膜特性評価システム、高度に統合された使いやすい測定プラットフォーム。
製品の詳細

ぶつりてきとくせいフィルムキャラクタリゼーションシステム高度に統合された使いやすい測定プラットフォーム。

フィルムの物理的性質はバルク材料とは異なり、なぜなら小さいサイズと高いアスペクト比のため寄生表面効果をより強くする

  • エンハンスメント表面散乱の影響(a)

  • 追加境界散乱(b)

  • 超薄型層の量子コンストレイントc)

LINSISフィルム物性ぶんせきけいはいキャラクタリゼーション各種フィルムサンプルが優れている測定ツール。特許出願中の測定を用いた使いやすい独自システムシステムせっけい高品質の結果を提供することができます。

コンポーネント

基本的な設定には、サンプルを容易に堆積できる測定チップと、必要な環境条件を提供する測定室が含まれています。 アプリケーションに応じて、この設定はロックアンプと/または強電磁石を併用する。測定は通常UHVで行われ、測定中はLN2及び強力加熱器によりサンプル温度を-170°Cと280°Cの間。


プレキャスト測定チップ

このチップは熱伝導率測定用の3 ωぎじゅつ抵抗率及びホール係数を測定するための4Van-der-Pauwぎじゅつ結合する。 と同じものを見つけるベック係数は、Van−der−Pauw電極付近の追加抵抗温度計を用いて測定した。サンプルの調製を容易にするために、はく離箔マスクまたは金属陰影マスクを使用することができる。この構成により、PVD(例えば、熱蒸発、スパッタリング、MBE)、CVD(例えば、ALD)、スピンコーティング、滴下鋳造またはインクジェット調製したサンプルを印刷する

このシステムの大きな利点は、1回の測定運転中に同時に決定することです。各種物理的特性。すべての測定は同じ(平面内)方向を採用し、比較可能性が高い。


基本測定ユニット

測定室、真空ポンプ、ヒーター付きスタンド、電子頬側装置、集積位相ロックアンプ、3w方法分析ソフトウェア、コンピュータ、アプリケーションソフトウェア。次の物理パラメータを測定できます。

λ - ねつでんどうけいすう(定常状態法/平面内方向)

ρ-抵抗率

•σ-導電率

•S-セイベック係数

ε-放射率

Cp-比熱容量

磁気測定ユニット

必要に応じて集積式電磁石を選択することができ、測定可能な物理パラメータは以下の通りである:

• AH-ホール定数

•μ–移動度

•n-キャリア濃度

フィルム材料の性能がバルク材料と異なる点

-小さいサイズと高いアスペクト比による表面効果:境界散乱と量子限界効果


モデル

TFA-薄膜物性分析計

おんどはんい

RTから280°C
-170°Cから280°C

サンプル厚さ

5 nmから25µm(サンプルより)

そくていげんり

チップベース(予備測定チップ、1箱24個)

堆積技術

含む:PVD(スパッタ、蒸発)、ALD,スピンコーティング、インクジェット印刷など

測定パラメータ

熱伝導率(3ω)
比熱

オプションモジュール

電気伝導度/抵抗率、Seebeck係数、Hall定数/移動度/電荷キャリア濃度、
電磁石最大1 tまたは永久磁石最大0.5 t

しんくう

最大10-5mbar

回路基板

統合

インタフェース

USB

測定範囲

ねつでんどうりつ

0.05から200 W/m∙K

抵抗率

0.05~1∙106S/cm

セイベック係数

5 ~ 2500μV/K

くりかえしせい

ねつでんどうりつ

±7%(ほとんどの材料)
±10%(ほとんどの材料に対して)

抵抗率

±3%(ほとんどの材料に対して)
±6%(ほとんどの材料に対して)

セイベック係数

±5%(ほとんどの材料に対して)
±7%(ほとんどの材料に対して)






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