上海羽宸光電科技有限公司
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DFBおよびDBRレーザ
DFBおよびDBRレーザ
製品の詳細

DFBDBRレーザ

高出力1550 nm DFBレーザ

主な特徴:

  • ITUメッシュの波長
  • 出力は100 mWまで可能
  • 低RIN
  • 偏光保護or SMF 28ファイバ
  • レーザ溶接かつ密封された
  • 内蔵サーミスタとモニタプローブ
  • オプションのBias-T

適用:

  • Analog RF Links
  • Seeding
  • Pulsing
  • Sensing
  • CATV

光電特性:

TOP=25°C, continous wave and beginning of life unless otherwise specified.

Parameter

Sym.

Condition

Min

Typ.

Max

Unit

動作チップ温度

TCHIP

20

35

°C

しきい値電流

ITH

50

mA

レーザ駆動電流

IOP

375

500

mA

レーザ順方向電圧

VF

I= IMAX

3

V

しゅつりょくでんりょく

POP

100mW Version, I=IOP

100

mW

80mW Version, I=IOP

80

63mW Version, I=IOP

63

50mW Version, I=IOP

50

40mW Version, I=IOP

40

ちゅうしんしゅうはすう

FOPT

P=POP

See ordering information

THz

線の太さ

Δν

1

MHz

そうたいきょうどざつおん

RIN

P=POP, 0.2GHz→14GHz

-150

dB/Hz

サイドダイ抑制比

SMSR

P=POP

30

dB

オプチカルアイソレーション

ISO

30

35

dB

つや消し比

PER

17

21

dB

モニタフォトダイオード電流

IPD

100

µA

モニタフォトダイオード暗電流

ID

100

nA

トラッキングエラー

-0.5

0.5

dB

TEC電流

TOP=70°C, P=POP, TCHIP=25°C

4.0

A

TEC電圧

TOP=70°C, P=POP, TCHIP=25°C

4.0

V

サーミスタインピーダンス

RTH

T=25°C

9500

10000

10500

Ω

サーミスタβ係数

β

0 / 50°C

3892

高帯域幅DFBレーザ

主な特徴:

  • 出力18 mW
  • 高帯域幅>10 GHz
  • 超高速パルス性能
  • レーザー溶接とシール
  • 内蔵サーミスタとモニタプローブ

光電特性:

TOP=25°C, continous wave and beginning of life unless otherwise specified.

Parameter

Sym.

Condition

Min

Typ.

Max

Unit

動作チップ温度

TCHIP

15

35

°C

しきい値電流

ITH

8

20

mA

レーザ駆動電流

IOP

75

100

mA

レーザ順方向電圧

VF

I= IMAX

1.6

2

V

しゅつりょくでんりょく

POP

I=IOP

18

mW

ちゅうしんはちょう

λ

P=POP

1310
1550

nm

線の太さ

Δ ν

1

MHz

そうたいきょうどざつおん

RIN

P=POP, 0.2GHz→3GHz

-150

dB/Hz

サイドダイ抑制比

SMSR

P=POP

30

dB

オプチカルアイソレーション

ISO

30

35

dB

つや消し比

PER

17

19

dB

モニタフォトダイオード電流

IPD

50

µA

モニタフォトダイオード暗電流

ID

100

nA

トラッキングエラー

-0.5

0.5

dB

TEC電流

TOP=70°C, P=POP, TCHIP=25°C

2.0

A

TEC電圧

TOP=70°C, P=POP, TCHIP=25°C

2.5

V

サーミスタインピーダンス

RTH

T=25°C

9500

10000

10500

Ω

サーミスタβ係数

β

0 / 50°C

3892

1064 nm DBRレーザ

主な特徴:

  • 出力150 mW
  • 高速パルス性能
  • オフセット保護またはSMF 28ファイバ
  • レーザー溶接とシール
  • 内蔵TECとモニタプローブ

適用:

  • Master oscillator for MOPA
  • Seeder for fiber lasers
  • Seeder for DPSS lasers

光電特性:

TOP=25°C, continous wave and beginning of life unless otherwise specified.

Parameter

Sym.

Condition

Min

Typ.

Max

Unit

動作チップ温度

TCHIP

15

35

°C

しきい値電流

ITH

40

50

mA

レーザ駆動電流

IOP

500

550

mA

レーザ順方向電圧

VF

I= IMAX

2.0

2.5

V

しゅつりょくでんりょく

POP

I=IOP

150

mW

ちゅうしんはちょう

λ

P=POP

1062

1064

1066

nm

線の太さ

Δ ν

8

10

MHz

サイドダイ抑制比

SMSR

P=POP

-30

dB

つや消し比

PER

14

19

dB

モニタフォトダイオード電流

IPD

P=POP

50

µA

モニタフォトダイオード暗電流

ID

100

nA

TEC電流

ΔT=25°C, P=POP

3.5

A

TEC電圧

ΔT=25°C, P=POP

3.5

V

サーミスタインピーダンス

RTH

T=25°C

9500

10000

10500

Ω

サーミスタβ係数

β

0 / 50°C

3892

1064 nm高出力DFB Laser

主な特徴:

  • 出力50 mW
  • へんこうほじファイバ
  • みっぷう
  • 光学アイソレータを内蔵、TEC,サーミスタとモニタ検出器
  • オプションのBias Tee

適用:

  • Master Oscillator
  • Pulsing
  • Sensing
  • Defense
  • Mode-hop free tuning

光電特性:

TOP=25°C, continous wave and beginning of life unless otherwise specified.

Parameter

Sym.

Condition

Min

Typ.

Max

Unit

動作チップ温度

TCHIP

20

40

°C

しきい値電流

ITH

17

mA

レーザ駆動電流

IOP

400

mA

レーザ順方向電圧

VF

I= IMAX

3

V

しゅつりょくでんりょく

POP

I=IOP

50

mW

ちゅうしんはちょう

λ

P=POP

1062

1064

1066

nm

線の太さ

Δ ν

0.1

nm

サイドダイ抑制比

SMSR

P=POP

40

dB

つや消し比

PER

17

21

dB

モニタフォトダイオード電流

IPD

P=POP

100

µA

モニタフォトダイオード暗電流

ID

100

nA

TEC電流

ΔT=25°C, P=POP

3

A

TEC電圧

ΔT=25°C, P=POP

3

V

サーミスタインピーダンス

RTH

T=25°C

9500

10000

10500

Ω

サーミスタβ係数

β

0 / 50°C

3892

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