他のソースとは異なり,当社のGaSe結晶は,2D材料分野の電子および光学アプリケーションに最適です.当社のGaSe（セレニドガリウム）結晶は,ブリッジマン成長,化学蒸気輸送(CVT),フラックスゾーン成長という3つの異なる成長技術を通じて合成され,粒粒粒子のサイズを最適化し,欠陥の粒度を減らします.大きな粒子サイズと制御された欠陥により,シンプルな剥皮プロセスで高収量でモノレイヤーを生み出し,高い電子移動性,理想的なエキシトン再組み合わせ時間を得ることができます.デフォルトでは,2Dsemiconductors USAは,ブリッジマン成長のガセ結晶を0001方向で切断し,剥離する準備ができます.しかし、CVTまたはフラックスゾーンで生長されたGaSeが必要な場合は、チェックアウト中にメモを留めてください。
vdW GaSe結晶の特性 - 2Dsemiconductors USA

成長方法が重要> フラックスゾーンまたはCVT成長方法？分層結晶におけるハロゲン化物の汚染およびポイント欠陥は,電子移動性の減少,異性反応の減少,e-h再組み合わせの悪さ,低PL放射,および光学吸収の低さの原因としてよく知られています.フラックスゾーン技術は,真の半導体グレードのvdW結晶を合成するために使用されるハロゲンフリー技術です.この方法は、化学蒸気輸送（CVT）技術と以下の点で区別されます：CVTは迅速（〜2週間）の成長方法ですが、結晶性質が悪く、欠陥の浓度は1E11〜1E12 cm-2範囲に達します。対照的に、フラックス方法は長い成長時間（〜3ヶ月）をかけますが、完璧な原子構造のための結晶化が遅く、1E9 - 1E10 cm-2の欠陥浓度で不純度のない結晶の成長を確保します。チェックアウトでは、どの種類の成長プロセスが好ましいかを記述します。別に記載されていない限り、2Dsemiconductorsはデフォルトの選択としてフラックスゾーン結晶を発送します。

1. ナノ電子学と光電子学のジャーナル Vol. 7, 1-3, 2012
2. ACS Nano, 2012, 6 (7), pp 5988-5994