当社のMoSe2結晶は、化学蒸気輸送（CVT）またはフラックスゾーンの成長を通じて、2つの異なる技術を使用して成長します（以下の2つの方法の説明を参照してください）。これらの結晶は,完璧な光学および電子行動のために,2D材料分野で金標準として扱われます.当社のMoSe2結晶は,極めて狭いPL帯域幅を持ち,クリーンなPLスペクトルを表示し,低温で束缚されたエキソン肩を持たず,高いキャリア移動性,極めてクリーンで高いXRDピーク,そしてわずかな量の欠陥を持つことで有名です (公表された結果や下記のCVT対フラックスベースの方法を参照してください).これらは唯一の商業的に利用可能なMoSe2結晶であり,保証されたバレートロニック応答,保保保証された保保証された保保証されたバレートロニック応答,Sharp PL,および良い電子応答を持つ.

単結晶vdW MoSe2の特性

成長方法が重要> フラックスゾーンまたはCVT成長方法？分層結晶におけるハロゲン化物の汚染およびポイント欠陥は,電子移動性の減少,異性反応の減少,e-h再組み合わせの悪さ,低PL放射,および光学吸収の低さの原因としてよく知られています.フラックスゾーン技術は,真の半導体グレードのvdW結晶を合成するために使用されるハロゲンフリー技術です.この方法は、化学蒸気輸送（CVT）技術と以下の点で区別されます：CVTは迅速（〜2週間）の成長方法ですが、結晶性質が悪く、欠陥の浓度は1E11〜1E12 cm-2範囲に達します。対照的に、フラックス方法は長い成長時間（〜3ヶ月）をかけますが、完璧な原子構造のための結晶化が遅く、1E9 - 1E10 cm-2の欠陥浓度で不純度のない結晶の成長を確保します。チェックアウトでは、どの種類の成長プロセスが好ましいかを記述します。別に記載されていない限り、2Dsemiconductorsはデフォルトの選択としてフラックスゾーン結晶を発送します。

http://meetings.aps.org/Meeting/MAR18/Session/K36.3

http://meetings.aps.org/Meeting/MAR17/Session/V1.14

この製品の出版物

概要：MIT、バークレー、スタンフォード、ライス、ハーバードのチームがNature、Nature Communications、Nano Letters、Advanced Materialsなどのトップジャーナルで出版した

トランジション金属ディハルコゲナイドモノレイヤーにおけるエクシトン谷の一致性の制御,Phys.レット牧師 117, 187401 (2016)

モノレイヤー・トランジション・メタル・ディアルコジネイドの光学介電機能の測定: MoS2, MoSe2, WS2, WSe2, Yilei Li, Alexey Chernikov, Xian Zhang, Albert Rigosi, Heather M. Hill, Arend M. van der Zande, Daniel A. Chenet, En-Min Shih, James Hone, and Tony F. Heinz;フィスRev. B 90, 205422（2014年）

Y. Jin 'A Van Der Waals Homojunction: Ideal p–n Diode Behavior in MoSe2' Advanced Materials 27, 5534–5540 (2015)

Tongay et al. 'Defects activated photoluminescence in two-dimensional semiconductors: interplay between bound, charged, and free excitons' Scientific Reports 3, Article number: 2657 (2013) 『二次元半導体における活性化された光発光の欠陥：結合された、充電された、自由なエキソンの相互作用』

M. Yankowitz et al. 'Transition Metal Dichalkogenide Heterostructures' のグラフェンの内在的障害 ナノ手紙, 2015, 15 (3), pp 1925–1929

Tongay et al. Thermally Driven Crossover from Indirect to Direct Bandgap in 2D Semiconductors: MoSe2 versus MoS2（2D半導体における直接バンドギャップへの間接から熱運転クロスオバー：MoSe2対MoS2）ナノレターズ, 2012, 12 (11), pp 5576–5580

Manish Chhowalla, 'トランジスタ用二次元半導体' Nature Reviews Materials 1, Article number: 16052 (2016) doi:10.1038/natrevmats.2016.52

X Li et al. '基板からのラマン強度による過渡金属ディカルコジネイドの二次元フレークの層数の決定' ナノテクノロジー 27 (2016) 145704

L・張 『Photonic-crystal exciton-polaritons in monolayer semiconductors』 Nature Communications vol. 9, Article number: 713 (2018)