化学蒸気輸送 (CVT) における10年以上の成長最適化とフラックス成長は,私たちの完璧なMoSe2結晶につながります.当社のp型MoSe2結晶は1E17-5E18cm-3範囲でNb原子でドープされています。これらの電子的にドープされたvdW MoSe2結晶は,2D材料分野で金標準として扱われます.2Ds半導体のMoSe2結晶は,優れた谷電子性能,完璧な結晶化,欠陥のない構造,極めて狭いPL帯域幅,クリーンなPLスペクトラ (束缚されたエキソン肩のない状態),および高いキャリア移動性で知られています.何千もの科学記事が私たちを引用し、科学的正確さとクリーンな信号のためにこれらの結晶を使用しています。また,Au,Re,Nb,または他の過渡金属原子でドープされたn型およびp型MoSe2結晶を参照してください.

TMDCへのドーピングは,結晶化時間 (成長速度) を大幅に短縮するため,電子的にドーピングされたTMDCは,ドーピングされていないTMDCよりも小さいです.

単結晶pドープMoSe2特性