蘇州銀河龍芯科技有限公司
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STM 08 GC 101 MBスマートメーター専用チップ
国網標準単相インテリジェント電気メータカスタムチップSTM 08 GC 101 MB主な技術パラメータ
製品の詳細

国網標準単相インテリジェント電気メーターカスタムチップSTM08GC101MB主な技術パラメータ

■使用範囲:

−電源電圧: 1.8 ~3.6v(電源オフ時、最低1.65 V)

−動作温度: -40 ~ 85℃。

■低消費電力

−5種類の低消費電力モード:待機、低消費電力運転、低消費電力待機、スリーププラスクロック、スリープ。

−保持SRAMコンテンツ時の最小消費電力350nA

−運転モードの動的消費電力が〜150μA/MHz

−超低漏電: 50nA/それぞれIO口。

−起動が最も速いまで休眠する5µS

■カーネル:先進的STM8かく

−32ビットメモリインタフェースと3段流線

−CPI性能達成16MIPS、最高動作周波数16MHz

−ガンダム40外部割込みソース

■リセット及び電源管理

−低消費電力、テープ5段敷居、絶対安全なBORリセットします。

−超低消費電力電源投入/POR/PDRを電源オフしてリセットします。

−プログラマブル電圧検出器(PVD)

■時計管理

−32 KHzと116MHzクリスタルオシレータ

−インラインは出荷時に調整された16MHzRCはっしんき

−インライン38k Hz低消費電力RCはっしんき

−クロックセキュリティシステム。

■結晶曲線追跡と較正機能付き32kHzRTC

はっしんき−バンドタイミング割込みのBCDコード日付/

クロック

無料ライブラリ関数を呼び出して+/-

0.5 ppmの等価温度法によるデジタル精度較正。

−LSEクロックセキュリティシステム

−先進的なクロック耐タンパ検出。−スリープ状態時に周期的に中断される自動ウェイクアップ。■LCD駆動−バンド4X44または8X40

LCD駆動する。

−LCD電圧

: 2.5~3.6V■メモリ−採用ST

独自の

130nm組み込み型不揮発性メモリの製造プロセス。64 Kバイトのフラッシュメモリ。

ECC付き、RWW機能の2Kバイト数

EEPROM−4 Kバイトの

SRAM

−弾力性のある読み取り/書き込み保護モード。DMA:−4チャネルDMAコントローラサポート周辺機器:タイマー、ADC2DACSPI

IC

12USART

12−1チャネルDMAコントローラはリザーバをリザーバにサポートしています。−2個ビットバンド出力バッファのデュアルモード数モード変換器。28−1個ビットアナログ変換器、1μs

へんかんじかん(最大1個の入力チャネル

)

内部温度センサと内部基準電圧を含む。

−2つの超低カット電圧比較器

:16固定しきい値を持つ1つ2個はレール対レール方式である。−電圧比較器にはウェイクアップ機能がある。温度センサーを内蔵する。■タイマー3個

ビット16チャネル3(IC

7OC8

PWM)1直交エンコーダ付きタイマー。

11つ2ビットモータ制御のための先進的な制御タイマをチャネル化し、サポートします。

1バンド

ビットプリスペクターのビットタイマー。

1ウィンドウ・タイプと独立したハードウェア犬です。1設定可能4Hz周波数のブザー。2■通信インタフェース−同期シリアル通信インタフェース2個

(SPI)−高〜400KHz、を持つ

SMBus67およびPMBus

I16C

バスインタフェース。

−2個USART

(ISO7816+IrDA)

−ガンダム

I/Oポート、すべて割り込みベクトルを変換できます。−ガンダム96個の通路で容量測定が可能で、工場側は無料ライブラリ関数を提供する。■開発支援−用

USART

ポートで起動ガイドを行います。

−迅速なオンボードプログラミング。

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