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製品の詳細
原子層堆積（atomic layer deposition，ALD）は気相前駆体及び反応物パルスを交互に反応チャンバに通し、基板上に表面化学反応を起こして薄膜を形成する方法であり、自己制限的な前駆体交互飽和反応により厚さ、成分、形態及び構造がナノスケールで高度に制御可能な薄膜を得る。この方法は基材に制限を設けず、特に高深度アスペクト比または複雑な3次元構造を有する基材に適している。ALDを用いて調製したフィルムは高緻密性（ピンホールなし）、高保形性及び大面積均一性などの優れた性能を有し、これはフィルムの
使用には重要な実際的意義がある。
原理図から、ALDは連続的なプロセスではなく、いくつかの半反応配列から構成されていることが分かった。ステップ1では、前駆体は基底表面で化学吸着反応Aを発生し、ステップ3では反応物と前駆体を吸着した基底は表面化学反応Bを継続し、ステップ2、4では不活性ガスを用いて余分なガスと副生成物を反応チャンバから持ち出す。A、Bの2つの半反応は自己制限と相補性の特徴があり、4つのステップが順次循環してフィルムの厚さを決定した。
従来の化学蒸着と異なり、ALDは表面自己規制の特徴を持っているため、多くの薄膜製造技術の中で際立っており、比較的に優れた優位性を示している！
•反応サイクル数を調節して膜厚を精密に制御することにより、原子レベルの膜厚を形成する
•薄膜堆積温度は友好的で、RT ~ 400℃
•様々な形状の基板に広く適用でき、高深度アスペクト比構造及びその他の複雑な3次元構造においても保形性の良い薄膜を生成することができる
•前駆体または反応物は飽和化学吸着であり、大面積均一性の薄膜の生成を保証する
•自己制限特性に基づいて、ALDプロセスは前駆体または反応流量の均一性を制御する必要がない
•フィルムが滑らかで、緻密で、ピンホールがない
•界面修飾と多組要素ナノ積層構造の製造に適している
•規模化された生産能力を備えている
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