System 100-プラズマエッチングと堆積設備

この装置は柔軟で機能的なプラズマエッチングと堆積プロセス装置である。真空注入室による注入は迅速なウェハ交換が可能であり、多種のプロセスガスを採用し、許容温度範囲を拡大した。

化合物半導体、フォトエレクトロニクス、フォトエレクトロニクス、マイクロ電気機械システム、マイクロ流体技術に最適な最大のプロセス柔軟性を持ち、PlasmalabSystem 100は、多くの構成が可能であり、詳細は次のとおりです。

主な特徴

• 8インチウエハの処理が可能であり、小ロット（6×2）のプレキャストと試作の能力もある

• 単ウェハ/バッチまたはカセット注入を選択し、真空注入室を採用します。このPlasmalabSystem 100は1つのクラスターシステムに集積することができ、中央マニピュレータを用いてウェーハを搬送、生産プロセスにおいて全片カセットを用いてカセットウェーハを搬送.一連の電極を用いて基板温度制御を行い、その温度範囲は-150°Cから700°Cである

• 終端検出のためのレーザ干渉および／または発光スペクトルは、エッチング制御を強化するためにPlasmalab System 100に実装することができる

• 6または12ウェイのガスタンクを選択することで、プロセスフローとプロセスガスの選択に柔軟性を提供し、主要なプロセス装置から遠く離れた遠位端に配置することができます

プロセス
Plasmalab System 100を用いたプラズマエッチング・堆積装置の例：

• 低温シリコンエッチング、深シリコンエッチング及びSOIプロセス、MEMS、マイクロ流体技術及び光子技術への応用

• レーザ端面のためのIII−V族エッチングプロセスは、エッチングホール、フォトニック結晶、その他多くの用途を通じて、材料の範囲が広い（InP、InSb、InGaAsP、GaAs、AlGaAs、GaN、AlGaN、など）

• HBLEDや他のパワーデバイスのエッチングなどのGaN、AlGaNなどの予備生産・開発プロセス

• 高品質、高速度SiO 2堆積、フォトニックデバイスへの応用

• 金属（Nb，W）エッチング

最新のシングルウェハエッチング技術-PlasmaPro 100 Sapphire。オックスフォード計器は固体照明の技術革新に力を入れ、HBLED関連材料の面で経験が豊富で、設備の使用コストの制御と生産量の要求に合致すると同時に、私たちの新技術はまた顧客の製品の良率を最大化することができる。
HBLEDエンボス加工の化学環境要求に対して、PlasmaPro 100 Sapphireは特殊な設計を持ち、直径200 mmのウェハ上で迅速かつ均一なエッチングを行うことができる。オックスフォード・インスツルメンツは、革新的で効果的なコスト制御と信頼性の高いプロセス・プランをお客様に提供するために努力してきました。この最新設計の設備はすべての要求を満たしている。
主な特徴と利点は以下を含む：独自の静電吸盤技術を持ち、サファイアを固定でき、サファイアまたはシリコン上の窒化ガリウムを成長させることができる、高出力のICPは高密度プラズマを生産することができ、磁気分離領域はイオン制御と均一性を高めることができ、高コンダクタンスポンプ水システムは、低圧下でガスを最大化することができる。